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華為布局第三代半導(dǎo)體,得碳化硅者得天下

華為布局第三代半導(dǎo)體,得碳化硅者得天下

  • 分類:新聞資訊
  • 作者:小星
  • 來源:
  • 發(fā)布時(shí)間:2024-05-29
  • 訪問量:0

【概要描述】近日,工商信息顯示,華為旗下的哈勃科技投資有限公司近日出手,投資了國內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體材料公司山東XX公司,持股達(dá)10%,該公司是我國第三代半導(dǎo)體材料碳化硅龍頭企業(yè)。華為出手意義何在?

華為布局第三代半導(dǎo)體,得碳化硅者得天下

【概要描述】近日,工商信息顯示,華為旗下的哈勃科技投資有限公司近日出手,投資了國內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體材料公司山東XX公司,持股達(dá)10%,該公司是我國第三代半導(dǎo)體材料碳化硅龍頭企業(yè)。華為出手意義何在?

  • 分類:新聞資訊
  • 作者:小星
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  • 發(fā)布時(shí)間:2024-05-29
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詳情

 

碳化硅是何方神圣?

碳化硅是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)、氮化鋁(ALN)、氧化鎵(Ga2O3)等,因?yàn)榻麕挾却笥?.2eV統(tǒng)稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料,在國內(nèi)也稱為第三代半導(dǎo)體材料。

在半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)從材料端分為:第一代元素半導(dǎo)體材料,如硅(Si)和鍺(Ge);第二代化合物半導(dǎo)體材料:如砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等;第三代寬禁帶材料,如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(ALN)、氧化鎵(Ga2O3)等。

其中碳化硅和氮化鎵是目前商業(yè)前景最明朗的半導(dǎo)體材料,堪稱半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)新一代“黃金賽道”。

歷史上人類第一次發(fā)現(xiàn)碳化硅是在1891年,美國人艾奇遜在電溶金剛石的時(shí)候發(fā)現(xiàn)一種碳的化合物,這就是碳化硅首次合成和發(fā)現(xiàn)。在經(jīng)歷了百年的探索之后,特別是進(jìn)入21世紀(jì)以后,人類終于理清了碳化硅的優(yōu)點(diǎn)和特性,并利用碳化硅特性,做出各種新器件,碳化硅行業(yè)得到較快發(fā)展。

相比傳統(tǒng)的硅材料,碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍;導(dǎo)熱率為硅的4-5倍;擊穿電壓為硅的8倍;電子飽和漂移速率為硅的2倍。

一、二、三代半導(dǎo)體材料新能參數(shù)對(duì)比

種種特性意味著碳化硅特別適于制造耐高溫、耐高壓,耐大電流的高頻大功率的器件。

目前已知的碳化硅有約200種晶體結(jié)構(gòu)形態(tài),分立方密排的閃鋅礦α晶型結(jié)構(gòu)(2H、4H、6H、15R)和六角密排的纖鋅礦β晶型結(jié)構(gòu)(3C-SiC)等。

 

其中β晶型結(jié)構(gòu)(3C-SiC)可以用來制造高頻器件以及其他薄膜材料的襯底,例如用來生長氮化鎵外延層、制造碳化硅基氮化鎵微波射頻器件等。α晶型4H可以用來制造大功率器件;6H最穩(wěn)定,可以用來制作光電器件。

3C-SiC 晶體結(jié)構(gòu)

 

 

碳化硅未來是否會(huì)替代硅?

第三代半導(dǎo)體材料和傳統(tǒng)硅材料,應(yīng)用領(lǐng)域是完全不同的,硅更多的是用來制作存儲(chǔ)器、處理器、數(shù)字電路和模擬電路等傳統(tǒng)的集成電路芯片。而碳化硅因?yàn)槟艹惺艽箅妷汉痛箅娏?,特別適合用來制造大功率器件、微波射頻器件以及光電器件等。特別是在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域未來碳化硅成本降低后,會(huì)對(duì)硅基的MOSFET IGBT 等進(jìn)行一定的替代。但是碳化硅不會(huì)用來做數(shù)字芯片,兩者是互補(bǔ)關(guān)系,部分功率器件領(lǐng)域,未來碳化硅芯片將占據(jù)優(yōu)勢(shì)。

 

新一代黃金賽道,得碳化硅者得天下

從應(yīng)用端講,碳化硅被稱為“黃金賽道”絲毫不過分。

目前碳化硅和氮化鎵這兩種芯片,如果想最大程度利用其材料本身的特性,較為理想的方案便是在碳化硅單晶襯底上生長外延層。即碳化硅上長碳化硅外延層,用于制造功率器件;碳化硅上長氮化鎵外延層,可以用來制造中低壓高頻功率器件(小于650V)、大功率微波射頻器件以及光電器件。

有人不禁要問,碳化硅上長同質(zhì)外延可以理解,但是為什么可以成為氮化鎵外延片的最佳異質(zhì)襯底?氮化鎵外延片為什么不用氮化鎵單晶襯底呢?其實(shí)從來理論上來講,氮化鎵外延片最好就是用本身氮化鎵的單晶襯底,但是氮化鎵單晶襯底實(shí)在太難了做,反應(yīng)過程中有上百種副產(chǎn)物很難控制,同時(shí)長晶效率奇低,且面積較小、價(jià)格昂貴,不具備任何經(jīng)濟(jì)性。而碳化硅和氮化鎵有著超過95%的晶格適配度,性能指標(biāo)遠(yuǎn)超其他襯底材料,如藍(lán)寶石、硅、砷化鎵等。因此碳化硅基氮化鎵外延片成為最佳選擇。

所以碳化硅襯底材料可以滿足兩種當(dāng)下最具潛力材料的對(duì)襯底材料的需求,“一材兩用”,因此這便是“得碳化硅者得天下”的說法來源。

碳化硅有啥優(yōu)勢(shì)?

如果只算碳化硅芯片,在功率半導(dǎo)體方面碳化硅的對(duì)比傳統(tǒng)硅基功率芯片,有著無可比擬的優(yōu)勢(shì):碳化硅能承受更大的電流和電壓、更高的開關(guān)速度、更小的能量損失、更耐高溫。因此用碳化硅的做成的功率模組可以相應(yīng)的減少了電容、電感、線圈、散熱組件的部件,使得整個(gè)功率器件模組更加輕巧、節(jié)能、輸出功率更強(qiáng),同時(shí)還增強(qiáng)了可靠性,優(yōu)點(diǎn)十分明顯。

從終端應(yīng)用層上來看在碳化硅材料在高鐵、汽車電子、智能電網(wǎng)、光伏逆變、工業(yè)機(jī)電、數(shù)據(jù)中心、白色家電、消費(fèi)電子、5G通信、次世代顯示等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用,市場(chǎng)潛力巨大。

2015年,汽車巨頭豐田便展示了全碳化硅模組的PCU。相比之下,碳化硅PCU僅為傳統(tǒng)硅PCU的體積的1/5,重量減輕35%,電力損耗從20%降低到5%,提升混動(dòng)車10%以上的經(jīng)濟(jì)性,經(jīng)濟(jì)社會(huì)效益十分明顯。

碳化硅 PCU 和硅 PCU的對(duì)比

此外知名電動(dòng)車廠商特斯拉的Model 3也宣布采用了意法半導(dǎo)體的全碳化硅模組。行業(yè)內(nèi)外均已經(jīng)看到碳化硅未來的巨大應(yīng)用潛力,紛紛布局,因此“黃金賽道”名副其實(shí)。

 

想說愛你不容易

所有優(yōu)質(zhì)妹子都不易得手,所有好的材料制造都難于上青天。

所有人都知道碳化硅未來巨大的商業(yè)前景,但是所有投身這個(gè)行業(yè)的就會(huì)遇到第一條最現(xiàn)實(shí)的問題,材料怎么辦?

目前傳統(tǒng)硅基產(chǎn)業(yè)極其成熟的商業(yè)環(huán)境,至少有一大半原因是硅材料較為容易得到。硅材料成熟且高效的制備技術(shù)使得硅材料目前十分低廉,目前6英寸硅拋光片僅150元,8英寸300元,12英寸850元左右。

只有原材料足夠便宜,產(chǎn)業(yè)規(guī)模才可能做大!

目前用直拉法,72小時(shí)能生長出2-3米左右的硅單晶棒,一根單晶棒一次能切下上千片硅片。

你知道72小時(shí)能長多少厚碳化硅單晶體嗎?只有幾厘米都不到!??!

目前最快的碳化硅單晶生長的方法,生長速度在0.1mm/h-0.2mm/h左右,因此72小時(shí)也僅有7.2mm~14.4mm厚度的晶體。

所以大家可以想象,生產(chǎn)出來的碳化硅單晶片能貴成啥樣了。目前4英寸碳化硅售價(jià)在4000-5000元左右,6英寸更是達(dá)到8000-10000元的水平,外延片至少再X2的價(jià)格以上,而且還有價(jià)無貨。

就這么薄薄的一片,買一只華為最新的5G手機(jī),還有的找!但是你想買還買不到!

作為全世界碳化硅龍頭企業(yè),美國科銳(Cree)幾乎壟斷了70%以上的產(chǎn)能,因此國內(nèi)外下游廠家,紛紛和科銳簽訂長期合約鎖定產(chǎn)能。

 

當(dāng)前碳化硅片短缺且昂貴,是行業(yè)最大痛點(diǎn),只要掌握了碳化硅原材料等于控制了行業(yè)的核心,其他事都相對(duì)容易解決,目前最難解決的就是原材料問題。國內(nèi)公司如能解決痛點(diǎn),將有極大的發(fā)展機(jī)會(huì)!無論華為未來是真的有心來做碳化硅,還是有其他戰(zhàn)略目標(biāo),此番華為投資入股國內(nèi)龍頭,合情合理。

我們已經(jīng)在傳統(tǒng)的硅器件上落后過,真心不希望在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域再發(fā)生一次,因此無論從國家層面的政策支持,還是社會(huì)資本的投入,都踴躍支持中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,“黃金賽道”名副其實(shí)!

延伸閱讀:為什么碳化硅這么難做?

碳化硅這種材料,在自然界是沒有的,必須人工合成,結(jié)果必然是成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于可以自然開采的材料。

碳化硅升華熔點(diǎn)約2700度,且沒有液態(tài),只有固態(tài)和氣態(tài),因此注定不能用類似拉單晶的切克勞斯基法(CZ法)制備。

目前制備半導(dǎo)體級(jí)的高純度碳化硅單晶,主要為Lely 改良法,有三種技術(shù)路線,物理氣相運(yùn)輸法(PVT)、溶液轉(zhuǎn)移法(LPE)、高溫化學(xué)氣相沉積法(HT-CVD)。

 

PVT法

 

LPE法

 

HT-CVD法

 

三種方法的原理及優(yōu)劣勢(shì)對(duì)比

其中LPE法僅用于實(shí)驗(yàn)室。商業(yè)路線上,PVT法和HT-CVD法較多,由于PVT爐價(jià)格低于HT-CVD設(shè)備,且工藝過程更簡單些,因此業(yè)內(nèi)普遍更看好PVT法。

不管是HT-CVD還是PVT,效率都極其緩慢,最快也僅每小時(shí)0.1-0.2mm的生長速度,因此長幾天幾夜也就幾厘米。

PVT方法其實(shí)很簡單,類似鍋蓋上的水蒸氣凝結(jié)過程。就是加熱碳化硅粉體,然后利用溫度梯度差,在頂部凝結(jié)生長晶體。優(yōu)點(diǎn)是方法簡單,設(shè)備較為便宜;缺點(diǎn)是目前速度較慢,且對(duì)碳化硅粉體質(zhì)量要求極高,粉體的質(zhì)量極大影響了晶體的缺陷,位錯(cuò)密度等一系列指標(biāo)。

目前國內(nèi)用焦炭+石英粉直接混合加熱,再碾碎成碳化硅粉,用酸洗凈。這種用工業(yè)級(jí)碳化硅粉的方法來做半導(dǎo)體級(jí)的碳化硅粉,聲稱能做出5N以上的高純碳化硅粉體,個(gè)人表示深刻懷疑。

個(gè)人判斷未來PVT技術(shù)發(fā)展的方向,應(yīng)該是爐體和粉體,以及工藝同步發(fā)展,共同突破,才能使得碳化硅晶體生長技術(shù)的不斷前進(jìn)。

“目前很多人都在研究關(guān)注爐體和長晶體技術(shù),其實(shí)粉體技術(shù)也非常關(guān)鍵。”臺(tái)州一能科技的總經(jīng)理張樂年表示,“我們把更多的精力放在了原材料高純碳化硅粉體的研究上。”

張總表示,碳化硅粉體的純度,晶形以及以及比表面積等性能參數(shù)對(duì)于PVT法晶體生長極為關(guān)鍵。

“我們有自己的粉體技術(shù),我們的粉體純度高、比表面積大,而且均為3C晶態(tài)。這種高比表面積的粉體在加熱過程中,吸熱極快,使得PVT爐內(nèi)碳化硅氣體濃度遠(yuǎn)超普通粉體加熱后濃度。高濃度環(huán)境下,極大的加快了晶體的結(jié)晶速度,目前特制粉體的實(shí)驗(yàn)速度可以達(dá)到普通粉體長晶速度的5倍,而且由于粉體純度高,因此晶體品質(zhì)極佳?!?/span>

目前臺(tái)州一能科技另辟蹊徑研制出的新式碳化硅粉體合成方法——“局部超高溫碳化硅粉合成法”,已經(jīng)在國內(nèi)外獲得了20余項(xiàng)專利。

延伸閱讀:盤點(diǎn)國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)公司

從產(chǎn)業(yè)鏈圖上可以看出,碳化硅分成單晶、外延、設(shè)計(jì)、制造、封裝及模塊制造最終到終端應(yīng)用。

在單晶制備領(lǐng)域,除了本次華為投資入股的山東公司外,還有天科和達(dá)、河北同光、世紀(jì)金光、神州科技以及中科剛研,還有中電2所、13所、46所、55所。此外還有一家由三安光電控股的北電新材。

在外延環(huán)節(jié)有大基金入股的瀚天天成、東莞天域、北電新材、世紀(jì)金光、中電13所、55所等。

在生產(chǎn)環(huán)節(jié)國內(nèi)龍頭是泰科天潤,其他還有世紀(jì)金光、深圳基本半導(dǎo)體、芯光潤澤等公司,以及相當(dāng)一部分原本做傳統(tǒng)硅基功率半導(dǎo)體,現(xiàn)在開始布局到碳化硅賽道的大廠,如中車時(shí)代、國揚(yáng)電子、士蘭微、揚(yáng)杰科技、嘉興斯達(dá)、甚至車企比亞迪也有布局,國內(nèi)功率老大華潤微電子也在招股說明書中披露準(zhǔn)備投入數(shù)億元要大力發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè),此外還有一大群正在來中國路上的海外創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì),其中設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)也有。

不過個(gè)人判斷不管是SiC SBD、還是SiC MOSFET、其實(shí)設(shè)計(jì)并不是最核心的,碳化硅制造環(huán)節(jié)才是核心,因此碳化硅“Fabless+Foundry”的代工模式競爭力不如IDM模式,當(dāng)然IDM也有缺點(diǎn),投資金額較大,建設(shè)周期長,回本慢,但是未來的模式一定是IDM占據(jù)主導(dǎo)。

目前碳化硅6英寸線一年1萬片的產(chǎn)能,本人估計(jì)5億足夠,而且回本期還挺快的。

目前中國碳化硅產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟在不斷擴(kuò)大,5年前開會(huì)僅僅只有數(shù)十人人,但是近年來開會(huì)已經(jīng)有超過200人規(guī)模,這標(biāo)志著中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟正在生機(jī)勃勃的發(fā)展,前景無限,而華為的出手也預(yù)示著中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將要崛起!

最后做大膽猜測(cè):任正非曾經(jīng)說過,華為是不做財(cái)務(wù)投資的,如果投資一定是戰(zhàn)略投資。因此華為如果不是為了自己建廠,而去投一家碳化硅單晶制造企業(yè)是沒有任何意義的。所以個(gè)人判斷華為是想自己干了,所以先走一步棋,把國內(nèi)做原材料的龍頭公司投了再說,為以后建廠打下基礎(chǔ)。

如果從需求端考慮, 做碳化硅有兩個(gè)用處,第一,灑家估摸著5G基站是個(gè)吃電大戶,用部分碳化硅功率器件替代傳統(tǒng)硅器件,省電節(jié)能,提高安全性經(jīng)濟(jì)性,效果還是很明顯的;第二、碳化硅可以長氮化鎵外延做大功率微波射頻芯片,GaN HEMT 的PA 可是5G剛需?。。?!出于這兩點(diǎn)考慮,我是任正非,我肯定上了,這步棋是必然要走的。

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